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RTR030N05
Data Sheet
200
Ta=25°C
10000
Ta=25°C
5
Pulsed
V DD = 25V
150
1000
t d (off)
t f
V GS =4.5V
R G =10 ?
4
I D = 1.5A
Pulsed
3
100
I D = 3.0A
100
2
Ta=25°C
50
0
10
1
t d (on)
t r
1
0
V DD = 25V
I D = 3.0A
R G =10 ?
Pulsed
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
0
1
2
3
4
5
6
7
10000
1000
100
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
Crss
Coss
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Measurement circuits
V GS
I D
V DS
Pulse Width
D.U.T.
R L
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t r
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Time Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G (Const.)
R G
D.U.T.
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/4
2009.04 - Rev.A
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